SIJ800DP-T1-GE3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: PowerPAK? SO-8
数量：: 882
说明：: MOSFET 40V 9.5mohm @ 10V

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SIJ800DP-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：SIJ800DP-GE3
典型关闭延迟时间：45 ns
工厂包装数量：3000
上升时间：15 ns
功率耗散：4.2 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：15 ns
包装形式：Reel
封装形式：PowerSO-5
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Triple Source
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.0095 Ohms
漏极连续电流：15.6 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：40 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

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