SIJ484DP-T1-GE3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: PowerPAK? SO-8
数量：: 873
说明：: MOSFET N-CH 30V PPAK SO-8L

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SIJ484DP-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下：
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：6.3 毫欧 @ 10A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：35A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：2.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：45nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：1600pF @ 15V
功率 - 最大：27.7W
安装类型：表面贴装

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