SIJ458DP-T1-GE3

厂家:
  Vishay/Siliconix
封装:
 PowerPAK? SO-8
数量:
 2943  
说明:
 MOSFET N-CH 30V 8-SOIC
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SIJ458DP-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下:

FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:标准型
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:2.2 毫欧 @ 20A, 10V
漏极至源极电压(Vdss):30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:60A
Id 时的 Vgs(th)(最大):2.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:122nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) :4810pF @ 15V
功率 - 最大:69.4W
安装类型:表面贴装

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