SIJ458DP-T1-GE3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: PowerPAK? SO-8
数量：: 2943
说明：: MOSFET N-CH 30V 8-SOIC

一、本商品被浏览0次.

SIJ458DP-T1-GE3 PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：2.2 毫欧 @ 20A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：60A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：2.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：122nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：4810pF @ 15V
功率 - 最大：69.4W
安装类型：表面贴装

以上是SIJ458DP-T1-GE3的详细信息，包括SIJ458DP-T1-GE3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他电源管理 IC产品：

软开关 PWM 控制器低压差控制器 - LDO 反馈回路功率控制器功率因数校正 IC 电压模式 PWM 控制器

开关变换器、稳压器与控制器最新产品：