SIHF12N60E-E3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: TO-220-3 整包
数量：: 4671
说明：: MOSFET 600V 380mOhm@10V 12A N-Ch E-SRS

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SIHF12N60E-E3 PDF参数资料

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中文参数如下：

上升时间：19 ns
功率耗散：147 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：29 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：3.8 S
下降时间：19 ns
包装形式：Bulk
封装形式：TO-220FP-3
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：380 mOhms at 10 V
漏极连续电流：12 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：600 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SIHF12N60E-E3的详细信息，包括SIHF12N60E-E3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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