SIHF12N50C-E3

厂家:
  Vishay/Siliconix
封装:
 TO-220-3 整包
数量:
 7267  
说明:
 MOSFET N-Channel 500V
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SIHF12N50C-E3-TO-220-3 整包图片

SIHF12N50C-E3 PDF参数资料

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中文参数如下:

功率耗散:36 W
最小工作温度:- 55 C
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :3 S
包装形式:Reel
封装形式:TO-220FP
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 125 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.46 Ohms
漏极连续电流:12 A
闸/源击穿电压:30 V
汲极/源极击穿电压:500 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
制造商:Vishay

以上是SIHF12N50C-E3的详细信息,包括SIHF12N50C-E3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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