SIF912EDZ-T1-GE3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: PowerPAK-6
数量：: 6165
说明：: MOSFET 30V 10.7A 3.5W 19mohm @ 4.5V

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SIF912EDZ-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：SIF912EDZ-GE3
工厂包装数量：3000
功率耗散：1.6 W
最小工作温度：- 55 C
包装形式：Reel
封装形式：PowerPAK-6
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual
电阻汲极/源极 RDS（导通）：19 mOhms
漏极连续电流：7.4 A
闸/源击穿电压：+/- 12 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

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