SI7157DP-T1-GE3

厂家：: Vishay Siliconix
封装：: PowerPAK? SO-8
数量：: 4905
说明：: MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8

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SI7157DP-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下：
：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：6.25W（Ta），104W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：22000 pF @ 10 V
Vgs（最大值）：±12V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：625 nC @ 10 V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.4V @ 250μA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：1.6 毫欧 @ 25A，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：60A（Tc）
漏源电压（Vdss）：20 V
技术：MOSFET（金属氧化物）
FET 类型：P 通道
产品状态：在售
包装：TrenchFET?
系列：卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌：Vishay Siliconix

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