SI7157DP-T1-GE3

厂家:
  Vishay Siliconix
封装:
 PowerPAK? SO-8
数量:
 4905  
说明:
 MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
SI7157DP-T1-GE3-PowerPAK? SO-8图片

SI7157DP-T1-GE3 PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下:
:-55°C ~ 150°C(TJ)
功率耗散(最大值):6.25W(Ta),104W(Tc)
FET 功能:-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):22000 pF @ 10 V
Vgs(最大值):±12V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值):625 nC @ 10 V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1.4V @ 250μA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):1.6 毫欧 @ 25A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):60A(Tc)
漏源电压(Vdss):20 V
技术:MOSFET(金属氧化物)
FET 类型:P 通道
产品状态:在售
包装:TrenchFET?
系列:卷带(TR),剪切带(CT),Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌:Vishay Siliconix

以上是SI7157DP-T1-GE3的详细信息,包括SI7157DP-T1-GE3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

相近型号推荐

IC电子元件邮购步骤

最新产品列表 IC