SIB419DK-T1-GE3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: PowerPAK? SC-75-6
数量：: 1998
说明：: MOSFET 12V 9.0A 13.1W 60mohm @ 4.5V

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中文参数如下：

零件号别名：SIB419DK-GE3
典型关闭延迟时间：28 ns
工厂包装数量：3000
上升时间：42 ns
功率耗散：2.45 W
最小工作温度：- 55 C
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：11 S
下降时间：9 ns
包装形式：Reel
封装形式：PowerPAK SC75-6L
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.089 Ohms
漏极连续电流：- 9 A
闸/源击穿电压：+/- 8 V
汲极/源极击穿电压：- 12 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

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