SIB455EDK-T1-GE3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: PowerPAK? SC-75-6
数量：: 1908
说明：: MOSFET -12V 27mOhm@4.5V 9A P-Ch G-III

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SIB455EDK-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：SIB455EDK-GE3
功率耗散：13 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：20 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：18 S
包装形式：Reel
封装形式：PowerPAK SC-75-6L Single
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 125 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：27 mOhms at 4.5 V
漏极连续电流：- 9 A
闸/源击穿电压：10 V
汲极/源极击穿电压：- 12 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
制造商：Vishay

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