SIB452DK-T1-GE3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: PowerPAK? SC-75-6
数量：: 2025
说明：: MOSFET 190V 1.5A 13W 2.4ohm @ 4.5V

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SIB452DK-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：SIB452DK-GE3
典型关闭延迟时间：30 ns
工厂包装数量：3000
上升时间：16 ns
功率耗散：2.4 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：15 ns
包装形式：Reel
封装形式：PowerPAK SC75-6L
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Dual Source
电阻汲极/源极 RDS（导通）：2.4 Ohms
漏极连续电流：0.67 A
闸/源击穿电压：+/- 16 V
汲极/源极击穿电压：190 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

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