SIA449DJ-T1-GE3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: PowerPAK? SC-70-6
数量：: 3024
说明：: MOSFET -30V 20mOhm@10V 12A P-Ch G-III

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SIA449DJ-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：39 ns
商标名：PowerPAK, TrenchFET
上升时间：20 ns
功率耗散：19 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：72 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：31 S
下降时间：16 ns
包装形式：Reel
封装形式：PowerPAK SC-70-6L Single
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：20 mOhms at 10 V
漏极连续电流：- 12 A
汲极/源极击穿电压：- 30 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

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