SIA429DJT-T1-GE3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: PowerPAK? SC-70-6
数量：: 5976
说明：: MOSFET P-Channel 20 V (D-S)

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SIA429DJT-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：SIA429DJT-GE3
功率耗散：19 W
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：30 S
包装形式：Reel
封装形式：SC-70
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.0205 Ohms
漏极连续电流：- 12 A
汲极/源极击穿电压：- 20 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
制造商：Vishay

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