SIA433EDJ-T1-GE3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: PowerPAK? SC-70-6
数量：: 1521
说明：: MOSFET -20V 18mOhm@4.5V 12A P-Ch G-III

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SIA433EDJ-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：SIA433EDJ-GE3
典型关闭延迟时间：6 us
上升时间：1.7 us
功率耗散：19 W
栅极电荷 Qg：50 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：35 S
下降时间：3.2 us
包装形式：Reel
封装形式：PowerPAK SC-70-6L Single
安装风格：SMD/SMT
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：18 mOhms at 4.5 V
漏极连续电流：- 12 A
闸/源击穿电压：12 V
汲极/源极击穿电压：- 20 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

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