SIA444DJT-T1-GE3

厂家:
  Vishay/Siliconix
封装:
 PowerPAK? SC-70-6
数量:
 5985  
说明:
 MOSFET N-Channel 30 V (D-S)
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SIA444DJT-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下:

零件号别名:SIA444DJT-GE3
功率耗散:19 W
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :24 S
包装形式:Reel
封装形式:SC-70
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.017 Ohms
漏极连续电流:12 A
汲极/源极击穿电压:30 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
制造商:Vishay

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