SI7601DN-T1-GE3

厂家:
  Vishay
封装:
 PowerPAK? 1212-8
数量:
 7434  
说明:
 MOSFET 20V 16A 52W 19.2mohm @ 4.5V
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SI7601DN-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下:

零件号别名:SI7601DN-GE3
典型关闭延迟时间:53 ns
上升时间:112 ns
功率耗散:3.8 W
最小工作温度:- 50 C
下降时间:80 ns
包装形式:Reel
封装形式:PowerPAK 1212-8
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):19 mOhms
漏极连续电流:11.5 A
闸/源击穿电压:+/- 12 V
汲极/源极击穿电压:20 V
晶体管极性:P-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SI7601DN-T1-GE3的详细信息,包括SI7601DN-T1-GE3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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