SI7601DN-T1-GE3

厂家：: Vishay
封装：: PowerPAK? 1212-8
数量：: 7434
说明：: MOSFET 20V 16A 52W 19.2mohm @ 4.5V

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SI7601DN-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：SI7601DN-GE3
典型关闭延迟时间：53 ns
上升时间：112 ns
功率耗散：3.8 W
最小工作温度：- 50 C
下降时间：80 ns
包装形式：Reel
封装形式：PowerPAK 1212-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：19 mOhms
漏极连续电流：11.5 A
闸/源击穿电压：+/- 12 V
汲极/源极击穿电压：20 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

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