SI7617DN-T1-GE3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: PowerPAK? 1212-8
数量：: 249355
说明：: MOSFET 30V 35A 52W 12.3mohm @ 10V

一、本商品被浏览0次.

SI7617DN-T1-GE3 PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

零件号别名：SI7617DN-GE3
典型关闭延迟时间：30 ns
上升时间：43 ns
功率耗散：52 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：20.5 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：35 S
下降时间：11 ns
包装形式：Reel
封装形式：PowerPAK 1212-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：12.3 mOhms
漏极连续电流：- 35 A
闸/源击穿电压：+/- 25 V
汲极/源极击穿电压：- 30 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI7617DN-T1-GE3的详细信息，包括SI7617DN-T1-GE3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他电源管理 IC产品：

软开关 PWM 控制器低压差控制器 - LDO 反馈回路功率控制器功率因数校正 IC 电压模式 PWM 控制器

开关变换器、稳压器与控制器最新产品：