SI7617DN-T1-GE3

厂家:
  Vishay/Siliconix
封装:
 PowerPAK? 1212-8
数量:
 249355  
说明:
 MOSFET 30V 35A 52W 12.3mohm @ 10V
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SI7617DN-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下:

零件号别名:SI7617DN-GE3
典型关闭延迟时间:30 ns
上升时间:43 ns
功率耗散:52 W
最小工作温度:- 55 C
栅极电荷 Qg:20.5 nC
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :35 S
下降时间:11 ns
包装形式:Reel
封装形式:PowerPAK 1212-8
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):12.3 mOhms
漏极连续电流:- 35 A
闸/源击穿电压:+/- 25 V
汲极/源极击穿电压:- 30 V
晶体管极性:P-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SI7617DN-T1-GE3的详细信息,包括SI7617DN-T1-GE3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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