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SI7623DN-T1-GE3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: PowerPAK? 1212-8
数量：: 7722
说明：: MOSFET -20V 3.8mOhm@10V 35A P-Ch G-III

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SI7623DN-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下：

商标名：P-Channel Gen III
功率耗散：52 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：55.5 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：70 S
包装形式：Reel
封装形式：PowerPAK 1212-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：3.8 mOhms at 10 V
漏极连续电流：- 35 A
闸/源击穿电压：12 V
汲极/源极击穿电压：- 20 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

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