SI7495DP-T1-E3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: PowerPAK? SO-8
数量：: 216
说明：: MOSFET 12V 21A 1.8W

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SI7495DP-T1-E3 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：SI7495DP-E3
典型关闭延迟时间：350 ns
工厂包装数量：3000
上升时间：200 ns
功率耗散：1.8 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：200 ns
包装形式：Reel
封装形式：PowerPAK SO-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：6.5 mOhms
漏极连续电流：13 A
闸/源击穿电压：+/- 8 V
汲极/源极击穿电压：12 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

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