SI7501DN-T1-E3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: PowerPAK? 1212-8 双
数量：: 5823
说明：: MOSFET COMPLEMENTARY 30-V (D-S)

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SI7501DN-T1-E3 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：SI7501DN-E3
典型关闭延迟时间：20 ns at N Channel, 25 ns at P Channel
工厂包装数量：3000
上升时间：15 ns at N Channel, 20 ns at P Channel
功率耗散：3.1 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：15 ns at N Channel, 20 ns at P Channel
包装形式：Reel
封装形式：PowerPAK 1212-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual
电阻汲极/源极 RDS（导通）：51 mOhms, 35 mOhms
漏极连续电流：6.4 A, 7.7 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V, +/- 25 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N and P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

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