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SI6552DQ-T1

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: TSSOP-8
数量：: 8820
说明：: MOSFET 20V/12V

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SI6552DQ-T1 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：56 ns, 43 ns
工厂包装数量：3000
上升时间：66 ns, 35 ns
功率耗散：1 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：16 nC, 9 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：12 S, 7 S
下降时间：66 ns, 35 ns
包装形式：Reel
封装形式：TSSOP-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual Dual Source
电阻汲极/源极 RDS（导通）：80 mOhms, 100 mOhms
漏极连续电流：+/- 2.8 A, +/- 2.5 A
闸/源击穿电压：+/- 8 V
汲极/源极击穿电压：20 V, - 12 V
晶体管极性：N and P-Channel
RoHS：否
制造商：Vishay

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