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SI6562DQ-T1

厂家：
  Vishay/Siliconix
封装：
 TSSOP-8
数量：
 8829  
说明：
 MOSFET 20V 4.5/3.5A
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SI6562DQ-T1-TSSOP-8图片

SI6562DQ-T1 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：50 ns at N Channel, 57 ns at P Channel
商标名：TrenchFET
工厂包装数量：3000
功率耗散：1 W
最小工作温度：- 55 C
包装形式：Reel
封装形式：TSSOP-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual
电阻汲极/源极 RDS（导通）：30 mOhms, 50 mOhms
漏极连续电流：4.5 A, 3.5 A
闸/源击穿电压：+/- 12 V
汲极/源极击穿电压：20 V
晶体管极性：N and P-Channel
RoHS：否
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI6562DQ-T1的详细信息，包括SI6562DQ-T1厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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