首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 分离式半导体 > 晶体管 > MOSFET > SI6562CDQ-T1-GE3

SI6562CDQ-T1-GE3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: 8-TSSOP
数量：: 6498
说明：: MOSFET 20V 6.7/6.1A 22/30mohm @ 4.5V

一、本商品被浏览0次.

SI6562CDQ-T1-GE3 PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

零件号别名：SI6562CDQ-GE3
典型关闭延迟时间：25 nS, 45 nS
工厂包装数量：3000
上升时间：10 nS, 25 nS
功率耗散：1.1 W, 1.2 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：10 nS, 25 nS
包装形式：Reel
封装形式：TSSOP-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual Dual Source
电阻汲极/源极 RDS（导通）：22 mOhms at 4.5 V at N Channel, 30 mOhms at 4.5 V at P Channel
漏极连续电流：5.7 A, - 5.1 A
闸/源击穿电压：+/- 12 V
汲极/源极击穿电压：20 V
晶体管极性：N and P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI6562CDQ-T1-GE3的详细信息，包括SI6562CDQ-T1-GE3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器

MOSFET最新产品：