SI4948BEY-E3

厂家:
  Vishay/Siliconix
封装:
 SOIC-8 Narrow
数量:
 6741  
说明:
 MOSFET 60V 3.1A 2.4W 120mohm @ 10V
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中文参数如下:

典型关闭延迟时间:50 ns
上升时间:15 ns
功率耗散:1.4 W
最小工作温度:- 55 C
下降时间:15 ns
包装形式:Tube
封装形式:SOIC-8 Narrow
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Dual
电阻汲极/源极 RDS(导通):120 mOhms
漏极连续电流:2.4 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:60 V
晶体管极性:P-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SI4948BEY-E3的详细信息,包括SI4948BEY-E3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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