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SI4952DY-T1-E3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: 8-SOIC
数量：: 1593
说明：: MOSFET 25V 8.0A 2.8W

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SI4952DY-T1-E3 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：SI4952DY-E3
典型关闭延迟时间：20 ns
工厂包装数量：2500
上升时间：50 ns
功率耗散：1.8 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：50 ns
包装形式：Reel
封装形式：SOIC-8 Narrow
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual
电阻汲极/源极 RDS（导通）：23 mOhms
漏极连续电流：7 A
闸/源击穿电压：+/- 16 V
汲极/源极击穿电压：25 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI4952DY-T1-E3的详细信息，包括SI4952DY-T1-E3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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