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SI4955DY-T1-E3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: SOIC-8 Narrow
数量：: 6858
说明：: MOSFET 30/20V 5.0/7.0A 5.4/2.7mohm@10/4.5V

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SI4955DY-T1-E3 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：SI4955DY-E3
典型关闭延迟时间：30 ns at Channel 1, 125 ns at Channel 2
工厂包装数量：2500
上升时间：10 ns at Channel 1, 40 ns at Channel 2
功率耗散：1.1 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：10 ns at Channel 1, 40 ns at Channel 2
包装形式：Reel
封装形式：SOIC-8 Narrow
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual
电阻汲极/源极 RDS（导通）：54 mOhms, 27 mOhms
漏极连续电流：3.8 A, 5.3 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V, +/- 8 V
汲极/源极击穿电压：30 V, 20 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI4955DY-T1-E3的详细信息，包括SI4955DY-T1-E3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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