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SI4949EY

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: SOIC-8 Narrow
数量：: 6795
说明：: MOSFET 60/30V

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SI4949EY PDF参数资料

中文参数如下：

典型关闭延迟时间：36 ns, 25 ns
工厂包装数量：100
上升时间：11 ns, 13 ns
功率耗散：2.4 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：11 ns, 15 ns
封装形式：SOIC-8 Narrow
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 175 C
配置：Dual Dual Drain
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.055 Ohms
漏极连续电流：4.5 A, - 5.1 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：60 V, 30 V
晶体管极性：N and P-Channel
RoHS：否
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

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