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中文参数如下:
典型关闭延迟时间:30 ns
商标名:TrenchFET
工厂包装数量:100
上升时间:14 ns
功率耗散:1.1 W
最小工作温度:- 55 C
下降时间:14 ns
封装形式:SO-8
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Dual
电阻汲极/源极 RDS(导通):36 mOhms
漏极连续电流:5.9 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:30 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:否
产品种类:MOSFET
制造商:Vishay
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