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SI4936BDY-T1-GE3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: 8-SOIC
数量：: 16188
说明：: MOSFET 30V 6.9A 2.8W 35mohm @ 10V

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SI4936BDY-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：SI4936BDY-GE3
典型关闭延迟时间：12 ns
工厂包装数量：2500
上升时间：130 ns, 25 ns
功率耗散：2.8 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：32 ns, 10 ns
包装形式：Reel
封装形式：SO-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual
电阻汲极/源极 RDS（导通）：35 mOhms
漏极连续电流：6.9 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

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