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SI4936CDY-T1-E3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: 8-SOIC
数量：: 1422
说明：: MOSFET 2N-CH 30V 5.8A SO8

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SI4936CDY-T1-E3 PDF参数资料

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中文参数如下：
FET 型：2 个 N 沟道（双）
FET 特点：逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：40 毫欧 @ 5A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：5.8A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：9nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：325pF @ 15V
功率 - 最大：2.3W
安装类型：表面贴装

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