SI4941EDY-T1-E3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: 8-SOIC
数量：: 4176
说明：: MOSFET DUAL P-CH 30V(D-S)

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SI4941EDY-T1-E3 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：SI4941EDY-E3
典型关闭延迟时间：11 us, 30 us
工厂包装数量：2500
上升时间：60 us, 11 us
功率耗散：2 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：24 us
包装形式：Reel
封装形式：SOIC-8 Narrow
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual Dual Drain
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.021 Ohms
漏极连续电流：8.3 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

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