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SI4906DY-T1-GE3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: 8-SOIC
数量：: 4041
说明：: MOSFET 40V 6.6A 3.1W 39mohm @ 10V

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SI4906DY-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：SI4906DY-GE3
典型关闭延迟时间：21 ns, 17 ns
工厂包装数量：2500
上升时间：51 ns, 85 ns
功率耗散：2 W
最小工作温度：- 50 C
下降时间：6 ns, 7 ns
包装形式：Reel
封装形式：SOIC-8 Narrow
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual
电阻汲极/源极 RDS（导通）：39 mOhms
漏极连续电流：5.3 A
闸/源击穿电压：+/- 16 V
汲极/源极击穿电压：40 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

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