SI4910DY-T1-E3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: 8-SOIC
数量：: 4059
说明：: MOSFET DUAL N-CH 40V(D-S)

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SI4910DY-T1-E3 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：SI4910DY-E3
典型关闭延迟时间：24 ns, 22 ns
工厂包装数量：2500
上升时间：11 ns, 60 ns
功率耗散：2 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：6 ns, 5 ns
包装形式：Reel
封装形式：SOIC-8 Narrow
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual
电阻汲极/源极 RDS（导通）：27 mOhms
漏极连续电流：6 A
闸/源击穿电压：+/- 16 V
汲极/源极击穿电压：40 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

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