SI4914BDY-T1-E3

厂家:
  Vishay/Siliconix
封装:
 8-SOIC
数量:
 1215  
说明:
 MOSFET 30V 8.4/8.0A 2.1/3.1
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SI4914BDY-T1-E3 PDF参数资料

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中文参数如下:

零件号别名:SI4914BDY-E3
典型关闭延迟时间:16 ns
工厂包装数量:2500
上升时间:10 ns at Channel 1, 9 ns at Channel 2
功率耗散:1.7 W, 2 W
最小工作温度:- 55 C
下降时间:10 ns at Channel 1, 9 ns at Channel 2
包装形式:Reel
封装形式:SO-8
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Dual
电阻汲极/源极 RDS(导通):21 mOhms, 20 mOhms
漏极连续电流:6.7 A, 7.4 A
闸/源击穿电压:20 V
汲极/源极击穿电压:30 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SI4914BDY-T1-E3的详细信息,包括SI4914BDY-T1-E3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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