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SI4914BDY-T1-E3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: 8-SOIC
数量：: 1215
说明：: MOSFET 30V 8.4/8.0A 2.1/3.1

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SI4914BDY-T1-E3 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：SI4914BDY-E3
典型关闭延迟时间：16 ns
工厂包装数量：2500
上升时间：10 ns at Channel 1, 9 ns at Channel 2
功率耗散：1.7 W, 2 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：10 ns at Channel 1, 9 ns at Channel 2
包装形式：Reel
封装形式：SO-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual
电阻汲极/源极 RDS（导通）：21 mOhms, 20 mOhms
漏极连续电流：6.7 A, 7.4 A
闸/源击穿电压：20 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI4914BDY-T1-E3的详细信息，包括SI4914BDY-T1-E3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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