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SI4920DY

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: SOIC-8 Narrow
数量：: 3285
说明：: MOSFET SO8 DUAL NCH

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SI4920DY PDF参数资料

中文参数如下：

典型关闭延迟时间：18 ns
工厂包装数量：2500
上升时间：10 ns
功率耗散：2 W
最小工作温度：- 55 C
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：18 S
下降时间：5 ns
包装形式：Reel
封装形式：SOIC-8 Narrow
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual Dual Drain
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.023 Ohms
漏极连续电流：6 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

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