SI4170DY-T1-GE3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: 8-SOIC
数量：: 3204
说明：: MOSFET 30V 30A 6.0W 3.5mohm @ 10V

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SI4170DY-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：SI4170DY-GE3
典型关闭延迟时间：45 ns
工厂包装数量：2500
功率耗散：3000 mW
最小工作温度：- 55 C
包装形式：Reel
封装形式：SOIC-8 Narrow
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Triple Source
电阻汲极/源极 RDS（导通）：3.5 mOhms
漏极连续电流：21.8 A
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

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