SI4190ADY-T1-GE3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
数量：: 5823
说明：: MOSFET 100V 8.8mOhm@10V 18.4A N-Ch MV T-FET

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中文参数如下：

零件号别名：SI4190ADY-GE3
功率耗散：6 W
包装形式：Reel
封装形式：SO-8
安装风格：SMD/SMT
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：8.8 mOhms at 10 V
漏极连续电流：18.4 A
闸/源击穿电压：2.8 V
汲极/源极击穿电压：100 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

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