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SI4200DY-T1-GE3

厂家：
  Vishay/Siliconix
封装：
 8-SOIC
数量：
 5850  
说明：
 MOSFET 25 Volts 8 Amps 2.8 Watts
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SI4200DY-T1-GE3-8-SOIC图片

SI4200DY-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：SI4200DY-GE3
功率耗散：2.8 W
最小工作温度：- 55 C
包装形式：Reel
封装形式：SO-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.02 Ohms at 10 V
漏极连续电流：8 A
闸/源击穿电压：16 V
汲极/源极击穿电压：25 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI4200DY-T1-GE3的详细信息，包括SI4200DY-T1-GE3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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