SI4196DY-T1-E3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: 8-SOIC
数量：: 5211
说明：: MOSFET N-CH 20V 8A 8SOIC

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SI4196DY-T1-E3 PDF参数资料

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中文参数如下：
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：27 毫欧 @ 8A, 4.5V
漏极至源极电压(Vdss)：20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：8A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：22nC @ 8V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：830pF @ 10V
功率 - 最大：4.6W
安装类型：表面贴装

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