SI4168DY-T1-GE3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
数量：: 5122
说明：: MOSFET 30V 24A 5.7W

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SI4168DY-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：SI4168DY-GE3
典型关闭延迟时间：30 ns
工厂包装数量：2500
上升时间：14 ns
功率耗散：2.5 W
最小工作温度：- 55 C
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：90 S
下降时间：15 ns
包装形式：Reel
封装形式：SOIC-8 Narrow
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Triple Source
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.0062 Ohms
漏极连续电流：24 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

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