SI2365EDS-T1-GE3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: SOT-23-3（TO-236）
数量：: 7695
说明：: MOSFET -20V 32mOhm@4.5V 5.9A P-Ch G-III

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：62 us
商标名：TrenchFET
上升时间：32 us
功率耗散：1.7 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：13.8 nC
下降时间：21 us
包装形式：Reel
封装形式：SOT-23 (TO-236)
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：32 mOhms at 4.5 V
漏极连续电流：- 5.9 A
汲极/源极击穿电压：- 20 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

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