SI2366DS-T1-GE3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
数量：: 30835
说明：: MOSFET 30 Volts 5.8 Amps 2.1 Watts

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SI2366DS-T1-GE3-TO-236-3，SC-59，SOT-23-3图片

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中文参数如下：

零件号别名：SI2366DS-GE3
典型关闭延迟时间：14 ns
上升时间：12 ns
功率耗散：2.1 W
栅极电荷 Qg：6.4 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：13 S
下降时间：8 ns
包装形式：Reel
封装形式：SOT-23
安装风格：SMD/SMT
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.03 Ohms
漏极连续电流：5.8 A
闸/源击穿电压：20 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

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