SI2377EDS-T1-GE3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: SOT-23-3（TO-236）
数量：: 6993
说明：: MOSFET 20V 4.4A P-CH MOSFET

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SI2377EDS-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：SI2377EDS-GE3
功率耗散：1.8 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：14 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：12 S
包装形式：Reel
封装形式：TO-236
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.05 Ohms
漏极连续电流：- 4.4 A
汲极/源极击穿电压：- 20 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
制造商：Vishay

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