SI2351DS-T1-E3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
数量：: 6975
说明：: MOSFET 20V 3.0A 2.1W

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SI2351DS-T1-E3-TO-236-3，SC-59，SOT-23-3图片

SI2351DS-T1-E3 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：SI2351DS-E3
典型关闭延迟时间：32 ns
工厂包装数量：3000
上升时间：30 ns
功率耗散：1 W
最小工作温度：- 55 C
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：5.5 S
下降时间：16 ns
包装形式：Reel
封装形式：TO-236-3
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.115 Ohms
漏极连续电流：2.2 A
闸/源击穿电压：+/- 12 V
汲极/源极击穿电压：20 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI2351DS-T1-E3的详细信息，包括SI2351DS-T1-E3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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