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SI1307EDL-T1

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: SOT-323-3
数量：: 90
说明：: MOSFET 12V 0.91A

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SI1307EDL-T1 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：910 ns
工厂包装数量：3000
上升时间：450 ns
功率耗散：290 mW
最小工作温度：- 55 C
下降时间：450 ns
包装形式：Reel
封装形式：SOT-323-3
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.29 Ohms
漏极连续电流：0.85 A
闸/源击穿电压：+/- 8 V
汲极/源极击穿电压：12 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：否
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

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