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SI1307EDL-T1-GE3

厂家：
  Vishay/Siliconix
封装：
 SC-70-3
数量：
 5877  
说明：
 MOSFET P-CH G-S 12V SC-70-3
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SI1307EDL-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下：

FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点：逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：290 毫欧 @ 1A, 4.5V
漏极至源极电压(Vdss)：12V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：850mA
Id 时的 Vgs(th)（最大）：450mV @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：5nC @ 4.5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：-
功率 - 最大：290mW
安装类型：表面贴装

以上是SI1307EDL-T1-GE3的详细信息，包括SI1307EDL-T1-GE3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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