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SI1401EDH-T1-GE3

厂家：
  Vishay/Siliconix
封装：
 SC-70-6
数量：
 5922  
说明：
 MOSFET -12V 34mOhm@4.5V 4A P-Ch G-III
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SI1401EDH-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：SI1401EDH-GE3
功率耗散：2.8 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：24 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值） ：16 S
包装形式：Reel
封装形式：SOT-363 (SC-70-6)
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：34 mOhms at 4.5 V
漏极连续电流：- 4 A
闸/源击穿电压：10 V
汲极/源极击穿电压：- 12 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
制造商：Vishay

以上是SI1401EDH-T1-GE3的详细信息，包括SI1401EDH-T1-GE3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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