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SI1404BDH-T1-GE3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: SC-70-6
数量：: 6408
说明：: MOSFET N-CH 30V 1.9A SOT363

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中文参数如下：
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：238 毫欧 @ 1.9A, 4.5V
漏极至源极电压(Vdss)：30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：1.9A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：1.3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：2.7nC @ 4.5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：100pF @ 15V
功率 - 最大：2.28W
安装类型：表面贴装

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