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SI1405BDH-T1-GE3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: SC-70-6
数量：: 5940
说明：: MOSFET P-CH 8V SC-70-6

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SI1405BDH-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下：

FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点：逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：112 毫欧 @ 2.8A, 4.5V
漏极至源极电压(Vdss)：8V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：1.6A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：950mV @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：5.5nC @ 4.5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：305pF @ 4V
功率 - 最大：2.27W
安装类型：表面贴装

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