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SI1305EDL-T1-GE3

厂家：
  Vishay/Siliconix
封装：
 SC-70-3
数量：
 6264  
说明：
 MOSFET P-CH 8V 860MA SOT323-3
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SI1305EDL-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下：
FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点：逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：280 毫欧 @ 1A, 4.5V
漏极至源极电压(Vdss)：8V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：860mA
Id 时的 Vgs(th)（最大）：450mV @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：4nC @ 4.5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：-
功率 - 最大：290mW
安装类型：表面贴装

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