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中文参数如下:
典型关闭延迟时间:35 ns
工厂包装数量:3000
功率耗散:1 W
包装形式:Reel
封装形式:TSMT-3
安装风格:SMD/SMT
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.15 Ohms
漏极连续电流:+/- 2 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:- 30 V
晶体管极性:P-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:ROHM Semiconductor
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